PRODUCT CENTER
产品中心
漏源电压BV DSS (V)(Min.)：
650
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：
300
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：
360
最大漏极电流Id(on)(A)：
11
通道极性：
N沟道
封装/温度(℃)：
TO-252-2L(DPAK)/-55~125
描述：
650V,360mΩ,5A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
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商务合作：
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鄂公网安备 42018502005668号 | 鄂ICP备2022001247号
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