PRODUCT CENTER
产品中心
漏源电压BV DSS (V)(Min.)：
650
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：
700
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：
850
最大漏极电流Id(on)(A)：
5
通道极性：
N沟道
封装/温度(℃)：
TO-220F-3L/-55~125
描述：
650V,850mΩ,5A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
服务热线
全国咨询电话：
18002584030(微信同号)
商务合作：
胡女士：13689515916（微信同号） janney@icchain.com
微信咨询
样品申请
鄂公网安备 42018502005668号 | 鄂ICP备2022001247号
鄂公网安备 42018502005668号 | 鄂ICP备2022001247号
